[发明专利]自激脉冲半导体激光器有效
| 申请号： | 98101875.0 | 申请日： | 1998-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN1118119C | 公开（公告）日： | 2003-08-13 |
| 发明（设计）人： | 沢野博之 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/30 | 分类号： | H01S5/30 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种自激脉冲半导体激光器件具有包括一对金属覆层部分的金属覆层和夹在该对金属覆层部分之间的饱和吸收层和缓冲层。用于缓冲层的半导体材料具有在饱和吸收层和用于与缓冲层接触的金属覆层的半导体材料的价带能之间的中间价带能，从而减小在价带能图中形成的尖峰。空穴平稳注入有源层，从而以高成品率以自激脉冲方式产生激光。 | ||
| 搜索关键词： | 脉冲 半导体激光器 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光器件，包括：第一导电型的半导体衬底；和依次形成在所述半导体衬底上的所述第一导电型的第一金属覆层、有源层和与所述第一导电型相对的第二导电型的第二金属覆层；至少所述第一导电型的金属覆层和所述第二导电型的金属覆层中的一个在其中包括彼此接触设置的饱和吸收层和第一缓冲层，所述饱和吸收层和所述第一缓冲层的导电型与所述第一金属覆层和第二金属覆层中至少一个的导电型相同，所述饱和吸收层的第一禁带能比所述第一金属覆层和第二金属覆层中至少一个的第二禁带能低，所述第一缓冲层具有所述饱和吸收层的第一价带能、所述第一和第二金属覆层中至少一个的第二价带能或在所述饱和吸收层的第一价带能和所述第一和第二金属覆层中至少一个的第二价带能之间的中间价带能。
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