[发明专利]巨磁阻材料P－N结结构无效
| 申请号： | 98101982.X | 申请日： | 1998-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN1120530C | 公开（公告）日： | 2003-09-03 |
| 发明（设计）人： | 戴守愚;周岳亮;吕惠宾;陈正豪;杨国桢 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L43/00 | 分类号： | H01L43/00;H01F1/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100080*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及巨磁阻材料P-N结结构。在单晶基底上制备一层N型或P型巨磁阻薄膜，然后再在上述薄膜上制备一层P型或N型巨磁阻材料薄膜，这样就制备成一个巨磁阻材料P-N结。包括在已经制备好的P-N结材料薄膜上制备另一层不同类型的巨磁阻材料薄膜就获得了P-N-P或N-P-N型巨磁阻材料三极管结构。交替制备P型与N型巨磁阻材料薄膜就获得了多层P-N结结构。P-N结或三极管结构或P-N结多层结构都对磁场相当敏感，其特性曲线是磁场的函数。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 材料 结构 | ||
【主权项】：
1.一种巨磁阻材料P-N结结构，其特征在于：包括在基片上淀积一层P型或N型巨磁阻材料，再在上述P型或N型巨磁阻材料上淀积一层N型或P型体巨磁阻材料，由P型和N型巨磁阻材料交替淀积组成，所述的N型巨磁阻材料包括La1-xSnxMnO3和La1-xTexMnO3，P型巨磁阻材料包括La1-xSrxMnO3和La1-xBaxMnO3，x取值范围为0.001到0.5。
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