[发明专利]半导体装置中形成隔离区的方法及所得的结构

摘要

一种形成半导体器件的元件隔离膜的方法，与该半导体器件。在半导体基板上建构衬垫绝缘体。当给与衬垫绝缘体图形的同时，进行过蚀刻工艺，以使半导体基板凹陷至预定的深度。在衬垫绝缘体图形的侧壁形成绝缘体间隔物之后，热氧化半导体基板的暴露区，以长出氧化物，然后再移除此氧化物以形成一凹陷处。以突破式场氧化与高温场氧化，在凹陷处形成元件隔离膜。所得元件隔离膜可避免场氧化物‘不生长’的现象，缓解了场氧化物变薄，改进了栅氧化物的性质。

主权项

1.一种在半导体基板中形成隔离区的方法，该方法包括的步骤有：提供一包括上表面的半导体基板；在半导体基板的上表面上形成隔离掩模，该隔离掩模包括一上表面的暴露区域；蚀刻半导体基板的上表面的暴露区域达一定深度，以形成一凹陷处，该暴露区域对应于场隔离区域；和经由突破式场氧化和随后的高温场氧化的步骤，于凹陷处形成一氧化物。