[发明专利]形成半导体器件接触塞的方法有效
| 申请号： | 98102092.5 | 申请日： | 1998-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN1127123C | 公开（公告）日： | 2003-11-05 |
| 发明（设计）人： | 尹普彦;丁寅权;李元成 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/3205;H01L21/28;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 谢丽娜 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 形成半导体器件接触塞的方法，包括在绝缘层上形成导电层填充接触孔的步骤。该方法还包括：在形成接触塞之后，通过深腐蚀或CMP工艺腐蚀导电层，平面化-腐蚀绝缘层上表面和接触塞，直到暴露绝缘层的上表面。或者用CMP工艺同时平面化-腐蚀导电层和绝缘层，以形成接触塞并平面化绝缘层的上表面。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 半导体器件 接触 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体器件接触塞的方法，包括步骤：在其中有多个扩散区的半导体衬底上形成导电结构；在包括导电结构的半导体衬底上形成绝缘层；腐蚀绝缘层直到暴露至少一个扩散区，以形成接触孔；在绝缘层上淀积导电层，用导电层填充接触孔；腐蚀导电层直到暴露绝缘层的上表面，以形成接触塞，腐蚀导电层的步骤包括深腐蚀导电层以形成凹陷接触塞，其中凹陷接触塞在平面化—腐蚀过程中用作腐蚀阻止层；及用平面化—腐蚀工艺方法腐蚀包括接触塞的绝缘层上表面，其中，接触塞和绝缘层的上表面都被平面化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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