[发明专利]一种半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 98102174.3 | 申请日： | 1998-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN1106038C | 公开（公告）日： | 2003-04-16 |
| 发明（设计）人： | 古贺洋贵 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱进桂,刘文意 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 为提供一种半导体器件的制造方法，其中在该半导体器件的沟槽隔离工艺中，在沟槽中不形成任何空隙，而且沟槽的重复间距可以减少到光刻技术的极限，本发明的方法包括，在沟槽隔离工艺中，经一硬掩模蚀刻硅基片以形成沟槽的步骤，以及处理该硬掩模以致使其上部成锥形的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造具有元件隔离区的半导体器件的方法，其特征在于至少包括如下步骤：在半导体基片的表面形成一隔离膜，通过将该隔离膜蚀刻成一预定的形状形成一隔离膜掩模，通过该隔离膜掩模蚀刻半导体基片形成一沟槽，将该隔离膜掩模处理成锥形，致使该隔离膜掩模的上部分的宽度能够小于其下部分宽度，将隔离材料埋置入该沟槽，在向沟槽中埋入隔离材料时，锥形的隔离膜掩模是保留的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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