[发明专利]有高阻元件的半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 98102250.2 | 申请日： | 1998-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN1203456A | 公开（公告）日： | 1998-12-30 |
| 发明（设计）人： | 植松吉英 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L27/11;H01L21/8244 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 按高阻薄膜与由低阻多晶硅膜形成的结区相接触的方法,用SIPOS膜构成的高阻膜制备作为SRAM负载电阻的高阻元件。该结构确保可以减小半导体器件的高阻元件的结电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 有高阻 元件 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种配有高阻元件的半导体器件，包括：半导体衬底；由低阻多晶硅膜形成的一对结区，该对结区形成在半导体衬底上；与一对结区接触的高阻薄膜。
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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