[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 98102275.8 | 申请日： | 1998-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN1202737A | 公开（公告）日： | 1998-12-23 |
| 发明（设计）人： | 小林研也 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L29/78;H01L21/76;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件,即使扩散层狭窄,也能够实现高击穿电压。在该半导体器件中,第一耗尽层(29—1)从N型阱层(19)和P型漏层(20)之间的连接处扩展,第二耗尽层(29—2)从N型阱层(19)和P型硅基片(1A)之间的连接处扩展,在这两个耗尽层被击穿之前,它们彼此连接一个单独的耗尽层(29)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，具有第二导电型阱层，该层形成于第一导电型区域的表面，后者位于半导体基片的表面，以及杂质扩散层，其形成于第二导电型阱层的表面，其特征为：施加反向电压时，第一耗尽层从所说的杂质扩散层开始扩展，第二个耗尽层从所说的第二导电型阱层和所说的第一导电区域连接处开始扩展，在所说的第一耗尽层和第二耗尽层被击穿之前，它们互相连接成一个单独的耗尽层，由此实现了高击穿电压。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
