[发明专利]单片微波集成电路无效

专利信息
申请号: 98102322.3 申请日: 1998-06-02
公开(公告)号: CN1128476C 公开(公告)日: 2003-11-19
发明(设计)人: 山口佳子;岩田直高 申请(专利权)人: 日本电气株式会社
主分类号: H01L27/04 分类号: H01L27/04;H01L29/92
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 朱进桂
地址: 暂无信息 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种单片微波集成电路,它包括:螺旋电感;螺旋电感的一开口,开口被设置为由螺旋电感围绕;螺旋电感的第一端;螺旋电感的第二端,第二端设置开口中;设置在开口中的接合盘;设置在开口中的高介电系数薄膜;设置在开口中的使用高介电系数薄膜的第一高介电系数薄膜电容器,它的一端与接合盘连接,它的另一端与螺旋电感的第二端连接;以及设置在开口中的使用高介电系数薄膜的第二高介电系数薄膜电容器,它的一端与第一高介电系数薄膜电容器的另一端和螺旋电感的所述第二端连接,它的另一端与地连接;第一高介电系数薄膜电容器和第二高介电系数薄膜电容器共用同一层高介电系数薄膜。
搜索关键词: 单片 微波集成电路
【主权项】:
1、一种单片微波集成电路,其中包括:一螺旋电感;所述螺旋电感的一开口,所述开口被设置为由所述螺旋电感围绕;所述螺旋电感的第一端;所述螺旋电感的第二端,所述第二端设置所述开口中;设置在所述开口中的接合盘;设置在所述开口中的高介电系数薄膜;设置在所述开口中的使用所述高介电系数薄膜的第一高介电系数薄膜电容器,它的一端与所述接合盘连接,它的另一端与所述螺旋电感的所述第二端连接;以及设置在所述开口中的使用所述高介电系数薄膜的第二高介电系数薄膜电容器,它的一端与所述第一高介电系数薄膜电容器的所述另一端和所述螺旋电感的所述第二端连接,它的另一端与地连接;所述第一高介电系数薄膜电容器和所述第二高介电系数薄膜电容器共用同一层高介电系数薄膜。
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