[发明专利]半导体集成电路器件及其制造方法无效
| 申请号： | 98102365.7 | 申请日： | 1998-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN1202006A | 公开（公告）日： | 1998-12-16 |
| 发明（设计）人： | 熊谷浩一 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84;H01L27/12 |
| 代理公司： | 中科专利代理有限责任公司 | 代理人： | 刘晓峰 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种制造半导体集成电路器件的方法,用于在共用SOI基片上形成P沟道MOS场效应晶体管及n沟道MOS场效应晶体管,其中SOI基片为具有第一硅层、绝缘膜及第二硅层的层状结构;其中从通过绝缘隔离将作为第二硅层的SOI层分割成多个有源区到在其中每一个的表面上形成至少一个栅电极的步骤与MOS场效应晶体管的导电类型无关。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制造半导体集成电路器件的方法，其用于在共用SOI基片上形成P-沟道MOS场效应晶体管及n-沟道MOS场效应晶体管，共用基片为具有第一硅层、绝缘膜及第二硅层的层状结构；其特征在于从通过绝缘隔离将作为所述第二硅层的SOI层分割为多个有源区到形成至少一个栅电极的步骤执行与MOS场效应晶体管的导电类型无关，其中所述栅电极是通过所述多个有源区的每个表面上的栅绝缘膜来设置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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