[发明专利]核径迹防伪膜的制造方法无效
| 申请号： | 98102547.1 | 申请日： | 1998-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN1119780C | 公开（公告）日： | 2003-08-27 |
| 发明（设计）人： | 何向明;严玉顺;张泉荣;万春荣;姜长印 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | G09F3/02 | 分类号： | G09F3/02 |
| 代理公司： | 北京清亦华专利事务所 | 代理人： | 罗文群 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种核径迹防伪膜的制造方法，该方法是首先利用核反应产生的裂变碎片或重离子加速器产生的重离子辐照塑料薄膜，然后用热光源局部照射或加热烫印模板局部加热经辐照的塑料薄膜，最后用化学试剂对塑料薄膜进行选择性部分蚀刻，洗涤晾干即为核径迹防伪膜。利用本发明的方法制备的防伪膜所得图形精细、精晰，而且制造设备简单，成品率高，易于实现规模化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 径迹 防伪 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种核径迹防伪膜的制造方法，包括：(1)选用厚度为5-25μm的透明塑料薄膜为原材料，利用核反应堆产生的中子轰击铀-235靶，裂变产生的碎片照射塑料薄膜，以产生核径迹，反应堆功率为1-5000千瓦，辐照时间为0.1-300秒，或利用重离子加速器产生的重离子来辐照塑料薄膜，辐照时间为0.5-200秒，核径迹密度为104-108/cm2；其特征在于还包括：(2)利用热光源透过局部透光的模板对上述辐照后的塑料薄膜进行照射，或者利用加热烫印模板局部加热上述塑料薄膜，使被照射或被加热部分的塑料薄膜的温度达到90一220℃；(3)然后用化学试剂对塑料薄膜进行选择性部分蚀刻，蚀刻剂为浓度为6-8M的NaOH、浓度为6-8M的KOH或浓度为6-16M的H2S04，蚀刻时间为1-180分钟，蚀刻温度为70-90℃，蚀刻出清晰的图案后，洗涤晾干，即形成核径迹防伪膜。
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