[发明专利]制造半导体器件的化学汽相淀积装置及其驱动方法有效
| 申请号： | 98102756.3 | 申请日： | 1998-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN1117887C | 公开（公告）日： | 2003-08-13 |
| 发明（设计）人： | 崔百洵;安重镒;金镇成;金重起 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | C23C16/00 | 分类号： | C23C16/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 谢丽娜 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供制造半导体器件的化学汽相淀积(CVD)装置，包括：处理室；为处理室供应处理气体的处理气体供应管线；废气排放管，用于在处理后将处理室内的废气排放出去；清洗气体供应管线，用于向处理室内供应ClF3气体；取样歧管，用于利用压力差从处理室内提取气体样品；及QGA-QMS，用于分析取样气样，并利用上述RGA-QMS通过分析，根据处理室内的气体流量、压力和温度优化结束点。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 化学 汽相淀积 装置 及其 驱动 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的化学汽相淀积(CVD)装置，包括：在其中进行制造半导体器件的淀积处理的处理室；为处理室供应处理气体的多个处理气体供应管线；废气排放管线，用于在处理后借助泵抽装置将处理室内的废气排放出去；清洗气体供应管线，用于向处理室内供应清洗气体；与处理室相连的取样歧管，用于借助压差从处理室取出气样；及气体分析仪，用于分析从取样歧管取出的气样，其中在取样歧管上装有临界管嘴，以保持其中的压力与处理室中的压力相同。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/98102756.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
