[发明专利]组合元件的分离方法和制作一种半导体基底的方法有效
申请号: | 98102954.X | 申请日: | 1998-03-27 |
公开(公告)号: | CN1157762C | 公开(公告)日: | 2004-07-14 |
发明(设计)人: | 近江和明;米原隆夫;坂口清文;柳田一隆 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/30;H01L21/68;B32B35/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 付建军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 为分离由多个键合元件组成的组合元件而不将其破坏或损坏,从喷嘴对着组合元件喷射流体,以便在与键合位置不同的位置将组合元件分离成多个元件。 | ||
搜索关键词: | 组合 元件 分离 方法 制作 一种 半导体 基底 | ||
【主权项】:
1.一种分离具有相互接合的第一和第二元件的组合元件的方法,包括以下步骤:制备所述第一元件,所述第一元件具有一个分离区,该分离区包括具有在与所述元件的接合位置不同的一个位置处的微空腔、畸变或缺陷;把具有该分离区的第一元件接合到所述第二元件;以及借助流体把压力施加到具有彼此接合的所述第一元件和所述第二元件的所述组合元件的一个侧表面上,该侧表面具有一个凹陷部分或一个间隙,其中所述组合元件在所述第一元件的所述分离区被分离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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