[发明专利]形成化合物半导体膜和制作相关电子器件的方法无效
| 申请号： | 98102989.2 | 申请日： | 1998-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN1143399C | 公开（公告）日： | 2004-03-24 |
| 发明（设计）人： | 布伦特·M·巴索尔;维杰伊·K·卡普尔;阿尔文德·T·哈拉尼;克雷格·R·莱德霍尔姆;罗伯特·A·罗 | 申请（专利权）人： | 国际太阳能电子技术公司 |
| 主分类号： | H01L31/032 | 分类号： | H01L31/032;H01L31/0336;H01L31/18;C25D5/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 美国加里*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种形成化合物膜的方法，包括步骤：制备源材料，其包括含有IB-IIIA族合金的颗粒，至少具有一个IB-IIIA族合金相，IB-IIIA族合金在所述源材料中构成大于大约50摩尔百分比的IB族元素及大于大约50摩尔百分比的IIIA族元素；在一基底上以先质膜形式沉积所述源材料；以及在合适的环境下加热所述先质膜，以形成含有IB-IIIA-VIA族化合物的膜。该方法适用于制造太阳能电池和其它电子器件。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 化合物 半导体 制作 相关 电子器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成化合物膜的方法，包括步骤：(a)制备源材料，其包括含有IB-IIIA族合金的颗粒，至少具有一个IB-IIIA族合金相，IB-IIIA族合金在所述源材料中构成大于50摩尔百分比的IB族元素及大于50摩尔百分比的IIIA族元素；(b)在一基底上以先质膜形式沉积所述源材料；以及(c)在合适的环境下加热所述先质膜，以形成含有IB-IIIA-VIA族化合物的膜，其中，VIA族源通过在步骤(a)中将含有VIA族的颗粒与所述含有IB-IIIA族合金的颗粒混合、以及/或者在步骤(c)中采用含VIA族的气氛来提供。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际太阳能电子技术公司，未经国际太阳能电子技术公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/98102989.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
