[发明专利]平面化腐蚀半导体器件的方法有效
| 申请号： | 98103051.3 | 申请日： | 1998-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN1131551C | 公开（公告）日： | 2003-12-17 |
| 发明（设计）人： | 朴桂仙;金贤洙 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302;C09G1/02 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 谢丽娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种平面化腐蚀半导体器件以使微痕发生频率最小化的方法，其中制备老化至少两小时的悬浮液以平面化腐蚀形成在半导体衬底上的层。在老化期间较重的悬浮颗粒聚集在容器的下部。除了重颗粒之外，容器上部的悬浮液可用于平面化腐蚀层。根据制造半导体器件的这种方法，至少老化悬浮液两个小时，由此在平面化腐蚀工艺期间使较重悬浮颗粒的微痕发生频率最小化，并且悬浮液的质量几乎不影响平面化腐蚀工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 平面化 腐蚀 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种平面化腐蚀半导体器件的方法，包括步骤：在容器内填充悬浮液，所述悬浮液可用于腐蚀形成在半导体上的层；使在容器中的悬浮液老化一预定周期，在老化之后，将容器下部较重的悬浮颗粒与除了重悬浮颗粒之外容器上部的悬浮液分离；以及使用容器上部的悬浮液腐蚀该层以使该层为平面化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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