[发明专利]聚偏氟乙烯多孔复合膜的制法无效

专利信息
申请号: 98103152.8 申请日: 1998-07-20
公开(公告)号: CN1067412C 公开(公告)日: 2001-06-20
发明(设计)人: 吕晓龙 申请(专利权)人: 天津纺织工学院膜天膜技术工程公司
主分类号: C08J5/00 分类号: C08J5/00
代理公司: 天津师范大学专利事务所 代理人: 李济群
地址: 300160 *** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明涉及聚偏氟乙烯多孔复合膜的制法。其特征是以聚偏氟乙烯或聚偏氟乙烯共混物为基膜,通过化学反应或辐照对其表面改性,使之形成C=C、-OH、-COOH、-COOR或自由基的活性增长点,再使基膜与功能性高分子或聚合物单体进行接枝反应,使其表面形成疏松型复合层;对于本身已具有C=C、-OH、-COOH、COOR或自由基的聚偏氟乙烯共混物基膜,直接进行接枝反应,形成疏松型复合层。本发明方法所得产品具有更好的抗污染性和选择分离效果。$#!
搜索关键词: 聚偏氟 乙烯 多孔 复合 制法
【主权项】:
1.一种聚偏氟乙烯复合多孔膜的制法,其特征是以聚偏氟乙烯或聚偏氟乙烯共混物为基膜,通过化学反应或辐照方法对其表面进行改性处理,使之形成C=C、-OH、-COOH、-COOR或自由基的活性增长点,再使表面活化的基膜与功能性高分子或聚合物单体进行接枝反应,使其表面形成疏松型复合层;对于本身已具有C=C、-OH、-COOH、COOR或自由基的聚偏氟乙烯共混物基膜,直接进行所述的接枝反应,形成所述的疏松型复合层。
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