[发明专利]聚偏氟乙烯多孔复合膜的制法无效
申请号: | 98103152.8 | 申请日: | 1998-07-20 |
公开(公告)号: | CN1067412C | 公开(公告)日: | 2001-06-20 |
发明(设计)人: | 吕晓龙 | 申请(专利权)人: | 天津纺织工学院膜天膜技术工程公司 |
主分类号: | C08J5/00 | 分类号: | C08J5/00 |
代理公司: | 天津师范大学专利事务所 | 代理人: | 李济群 |
地址: | 300160 *** | 国省代码: | 天津;12 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及聚偏氟乙烯多孔复合膜的制法。其特征是以聚偏氟乙烯或聚偏氟乙烯共混物为基膜,通过化学反应或辐照对其表面改性,使之形成C=C、-OH、-COOH、-COOR或自由基的活性增长点,再使基膜与功能性高分子或聚合物单体进行接枝反应,使其表面形成疏松型复合层;对于本身已具有C=C、-OH、-COOH、COOR或自由基的聚偏氟乙烯共混物基膜,直接进行接枝反应,形成疏松型复合层。本发明方法所得产品具有更好的抗污染性和选择分离效果。$#! | ||
搜索关键词: | 聚偏氟 乙烯 多孔 复合 制法 | ||
【主权项】:
1.一种聚偏氟乙烯复合多孔膜的制法,其特征是以聚偏氟乙烯或聚偏氟乙烯共混物为基膜,通过化学反应或辐照方法对其表面进行改性处理,使之形成C=C、-OH、-COOH、-COOR或自由基的活性增长点,再使表面活化的基膜与功能性高分子或聚合物单体进行接枝反应,使其表面形成疏松型复合层;对于本身已具有C=C、-OH、-COOH、COOR或自由基的聚偏氟乙烯共混物基膜,直接进行所述的接枝反应,形成所述的疏松型复合层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津纺织工学院膜天膜技术工程公司,未经天津纺织工学院膜天膜技术工程公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/98103152.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。