[发明专利]参考电压生成电路无效
| 申请号： | 98103177.3 | 申请日： | 1998-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN1085438C | 公开（公告）日： | 2002-05-22 |
| 发明（设计）人： | 黑田秀彦 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H03F1/30 | 分类号： | H03F1/30 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王忠忠,张志醒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种参考电压生成电路包括恒流电路，电流镜象电路，和负载电阻。电流镜象电路包括其集电极与恒流电路连接的第一晶体管；其一端与的第一晶体管的发射极连接的第一电阻；基极与第一晶体管的基极连接，集电极与负载电阻连接的第二晶体管；一端与第二晶体管的发射极连接的第二电阻；基极与第一晶体管的集电极连接，发射极与第一和第二晶体管的基极连接的第三晶体管；连接所述的第一晶体管的基极和发射极的第三电阻。#! | ||
| 搜索关键词： | 参考 电压 生成 电路 | ||
【主权项】：
1、一种参考电压生成电路，其特征在于包括：一个恒流电路(20)，用于生成与热电动势成正比的恒流；一个第一电流镜象电路，它把由恒流电路生成的恒定流作为参考电流；和一个负载电阻(RL)，用于把电流镜象电路的输出电流转换成电压；所述的电流镜象电路包括：一个其集电极与所述的恒流电路连接的第一晶体管(QN1)；一个其一端与所述的第一晶体管的发射极连接的第一电阻(R1)；一个其基极与所述的第一晶体管的基极连接，其集电极与负载电阻连接的第二晶体管(QN2)；一个其一端与所述的第二晶体管的发射极连接的第二电阻(R2)；一个其基极与所述的第一晶体管的集电极连接，其发射极与所述的第一和第二晶体管的基极连接的第三晶体管(QN3)；和一个连接所述的第一晶体管的基极和发射极的第三电阻(R3)。
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