[发明专利]半导体集成电路的故障分析装置及其方法无效
| 申请号： | 98103232.X | 申请日： | 1998-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN1205544A | 公开（公告）日： | 1999-01-20 |
| 发明（设计）人： | 五十岚均一 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 叶恺东,王岳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 首先,在清除样片表面的钝化膜之后,用一台检测器将样片表面的定时故障电平数字化。然后,在样片表面的上半圆区滴入聚酰亚胺溶液。接着,再用检测器将形成了聚酰亚胺膜后的样片的定时故障电平数字化。之后,对形成了聚酰亚胺膜之后的定时故障值和形成聚酰亚胺膜之前的定时故障值进行比较。根据比较结果,就可判断出故障区。随后,重复选择性地在含有故障的区域上形成聚酰亚胺膜并判断故障区域的步骤,就可识别出故障区域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 故障 分析 装置 及其 方法 | ||
【主权项】：
1，一种分析在半导体衬底上形成的半导体集成电路的故障的装置，包括：一个用于安装所述衬底的晶片层；一个溶液滴入装置，其将溶液滴在所述的半导体衬底的某个部位上以便形成一个介电常数为2-5的检测膜；一个安装在所述溶液滴入装置上方的显微镜，该显微镜用于放大所述的半导体衬底的表面图形；一个可相对于所述的晶片层沿水平方向移动所述的显微镜和溶液滴入装置的机构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
