[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

一种半导体装置及其制造方法是在半导体基片上形成由下部电极电容绝缘膜及上部电极组成的电容元件。在层间绝缘膜形成下部电极用接触窗及上部电极用接触窗。在上部电极接触窗的底面和壁面以及层间绝缘膜上的上部电极用的接触窗的周边缘部，形成由氮化钛组成的防止扩散用的导电膜。在含有下部电极用接触窗及上部接触窗的内部的层间绝缘膜上，形成由钛膜、第一氮化钛膜、铝膜及第二氮化钛膜组成的金属布线。

主权项

1.一种半导体装置，其特征包括基片；在所述基片上设置的由电容下部电极、绝缘性金属氧化物膜组成的电容绝缘膜及电容上部电极组成的电容元件；在所述电容元件上设置的、具有达到所述电容上部电极的开口部的层间绝缘膜；在所述层间绝缘膜上通过所述开口部以与所述电容上部电极电连接的方式所设置的、具有钛膜的金属布线；在所述电容上部电极与所述金属布线之间设置，防止构成所述金属布线钛膜的钛原子通过所述电容上部电极向所述电容绝缘膜扩散的具有导电性的防止扩散膜。