[发明专利]半导体存储器件无效

专利信息
申请号: 98103458.6 申请日: 1998-07-30
公开(公告)号: CN1206918A 公开(公告)日: 1999-02-03
发明(设计)人: 铃木宏一 申请(专利权)人: 日本电气株式会社
主分类号: G11C17/00 分类号: G11C17/00
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 穆德骏
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供一种半导体存储器件,在正常访问方式下能抑制读出放大器的峰值电流,并能实现高速访问,其包括两种读出放大器以及控制激活启动和完成时间的读出放大器控制电路。根据访问方式,读出放大器的激活启动和完成时间由读出放大器控制电路使其漂移,可以将ATD产生的一次脉冲信号修改为可选的脉冲宽度,改变在正常访问方式中得到数据的传输路径,通过页面解码器、读出放大器选择电路和锁存选择器选择的路径传输页面访问方式中得到的数据。
搜索关键词: 半导体 存储 器件
【主权项】:
1.一种提供有页面访问方式的半导体存储器件,包括:多个存储单元;Y选择器,用于在多个数字线中选择一个或多个数字线;多个读出放大器电路,用于放大通过所述Y选择器读取的数据;选择器,用于在所述多个读出放大器中选择一个读出放大器,并将该读出放大器电路的数据传输到输出缓冲器;以及控制电路,用于控制所述多个读出放大器电路和所述选择器;其特征在于所述器件还包括:在正常访问操作中使用的读出放大器,其尺寸上与所述多个读出放大器不同,用于检测在正常访问操作中读取的数据;以及在页访问操作中使用的读出放大器,用于检测在页访问操作中读取的数据;其中所述控制电路进行切换以激活正常访问操作中的所述读出放大器。
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