[发明专利]晶片处理装置、晶片处理方法和绝缘体上硅晶片制造方法无效
| 申请号： | 98103730.5 | 申请日： | 1998-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN1108632C | 公开（公告）日： | 2003-05-14 |
| 发明（设计）人： | 坂口清文 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/306 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 晶片一边受到支承一边由四根具有槽口的晶片转动杆转动。晶片转动杆由一安装在晶片处理槽外边的电动机传递出的驱动力转动。超声槽设置在晶片处理槽的下方，并且由超声源产生的超声波传递到晶片处理槽。超声波可高效地传递到晶片，因为晶片仅由晶片转动杆支承。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 处理 装置 方法 绝缘体 制造 | ||
【主权项】：
1.一种将晶片浸没于处理液中对晶片进行处理的晶片处理装置，包括：晶片处理槽；转动支承机构，用于将晶片支承并保持在基本垂直于所述晶片处理槽底面的位置，并由至少三个彼此间基本平行排列、并位于晶片中心下方但并非正下方处转动的水平杆件转动晶片，每一个杆件具有多个通过夹持晶片斜缘来支承所述斜缘的槽口，并且至少一个杆件从下方来支承晶片；以及位于晶片下方、用于向晶片施加超声波的超声源。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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