[发明专利]电子器件的制造工艺无效
| 申请号： | 98103782.8 | 申请日： | 1998-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN1121719C | 公开（公告）日： | 2003-09-17 |
| 发明（设计）人： | 古恩特·伊格尔;马丁·马尔 | 申请（专利权）人： | 迈克纳斯公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 联邦德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用半导体晶片制造电子器件1的工艺。在电子器件1之间形成具有空间图形的分离区3。淀积并图形化导电接触层7，使得导电端子9从晶片的正面至少伸展到已被图形化的分离区3的一部分横断面之上。通过从晶片背面去除半导体区域3中的材料而使得端子9裸露，且相邻电子器件1的端子9相互之间分离。 | ||
| 搜索关键词： | 电子器件 制造 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种用半导体晶片制造电子器件(1)的工艺，所述半导体晶片在其正面有用于电子器件(1)的有源区(2)和用于分离电子器件(1)的分离区(3)，在分离区相对于半导体晶片的正面形成凹陷(4)，该工艺的特征在于，在半导体晶片的正面淀积导电接触层(7)，图形化接触层(7)，使得未互连的有源区(2)之间形成开口(8)，导电端子(9)从半导体晶片的正面至少伸展到已被图形化的分离区(3)的一部分横断面之上，通过从半导体晶片的背面去除半导体晶片分离区(3)中的材料而使得端子(9)裸露，相邻电子器件的端子(9)相互之间隔离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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