[发明专利]半导体器件制造方法、驱动器电路和有源矩阵型显示器件

摘要

在一半导体集成电路中，在具有绝缘表面的同一基片上形成多个薄膜晶体管(TFT)。由于形成在TFT中的栅极相互电绝缘，所以阳极氧化期间在电解液中独立地向栅极施加电压，至少在每个栅极的两侧形成阳极氧化层。根据TFT的特性改变阳极氧化厚度。利用具有所期望厚度的阳极氧化层作为掩模，通过离子掺杂改变在每个TFT的有源层中形成的高阻区宽度。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在一个绝缘表面上形成第一和第二半导体区；在半导体区上形成绝缘膜；在半导体区上形成分别穿过绝缘膜的栅极；在第一和第二半导体区上形成的栅极的两侧形成厚度不同的多孔的阳极氧化层；以及仅在第二半导体区上形成的栅极的至少两侧形成阻挡阳极氧化层；利用多孔的阳极氧化层、阻挡阳极氧化层和栅极作为掩膜，蚀刻一部分绝缘膜，使绝缘膜形成两个岛；通过蚀刻去除多孔的阳极氧化层；以及利用栅极、两个岛和阻挡阳极氧化层作为掩膜，把杂质引入第一和第二半导体区，以便在第一半导体区和第二半导体区之间形成宽度不同的第一和第二半导体区中的轻掺杂区，和仅在第二半导体区中形成偏置区。