[发明专利]刷新存储区的控制容易的多存储区同步型半导体存储装置无效
| 申请号： | 98103830.1 | 申请日： | 1998-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN1208230A | 公开（公告）日： | 1999-02-17 |
| 发明（设计）人： | 桜井干夫 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/34 | 分类号： | G11C11/34 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 程天正,叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种刷新时能减少损失的同步型半导体存储装置。当指示进行具有多个阵列存储区的存储区(1)的刷新时,刷新控制电路(18)分别将行地址及存储区激活信号保存到行地址保存电路(20)及存储区激活信息保存电路(22)中后进行刷新。刷新结束后,根据所保存的行地址信号及存储区激活信息,使各阵列存储区返回进行刷新前的原状态。 | ||
| 搜索关键词： | 刷新 存储 控制 容易 同步 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1．一种半导体存储装置，它具有分别需要在一定的时间内进行存储信息的刷新的多个存储单元，其特征在于，包括：地址发生装置，它具有地址存储装置，接收来自外部的地址信号后发生内部地址信号并存入上述地址存储装置中；存储单元选择装置，用于根据上述内部地址信号，选择地址指定的存储单元；地址保存装置，响应刷新指示，接收并保存上述地址发生装置的、存储在上述地址存储装置中的内部地址信号；刷新激活装置，响应上述刷新指示，通过上述地址发生装置将指定应刷新的存储单元的刷新地址信号送给上述存储单元选择装置，并将上述存储单元选择装置激活；以及再设定装置，按照上述刷新指示进行的刷新工作结束时，根据上述地址保存装置的地址信号，给出了上述刷新指示时将处于选择状态的存储单元设定为再选择状态。
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