[发明专利]薄膜磁头无效
| 申请号： | 98103859.X | 申请日： | 1998-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN1114902C | 公开（公告）日： | 2003-07-16 |
| 发明（设计）人： | 平野均;堂本洋一;藏本庆一;樽井久树 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/31 | 分类号： | G11B5/31;G11B5/39 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 李家麟 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种薄膜磁头，它包括：可以在一种磁性记录介质上或相对于磁性记录介质移动的磁致电阻元件部分、固定其间的磁致电阻元件部分并用来对磁致电阻元件部分进行磁屏蔽的上、下屏蔽层以及分别介于上屏蔽层和磁致电阻元件部分之间以及下屏蔽层和磁致电阻元件部分之间的上、下间隔绝缘层。上、下间隔绝缘层均包含有含氢的薄膜。与下间隔绝缘层相比，上间隔绝缘层具有较高的氢含量和较小的内应力。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 磁头 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜磁头，它包含：磁致电阻元件部分(56)，它可以在磁性记录介质上或相对于磁性记录介质移动，用于读取其中存储的信息；上屏蔽层和下屏蔽层(60，53)，它们将所述磁致电阻元件部分固定在两者之间，用于对所述磁致电阻元件部分进行磁屏蔽；上间隔绝缘层和下间隔绝缘层(59，55)，它们分别介于所述上屏蔽层(60)和所述磁致电阻元件部分(56)之间以及所述下屏蔽层(53)和所述磁致电阻元件部分(56)之间，所述上间隔绝缘层和下间隔绝缘层(59，55)中的每一层都包含一含氢薄膜，其特征在于，所述上间隔绝缘层(59)具有比所述下间隔绝缘层(55)低的内应力，并且在所述下间隔绝缘层(55)和所述下屏蔽层(53)之间有一层第一中间层(54)。
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