[发明专利]半导体发光器件及其制作方法有效
| 申请号： | 98104039.X | 申请日： | 1998-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN1127153C | 公开（公告）日： | 2003-11-05 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木和明;中村淳一 | 申请（专利权）人： | 夏普公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 马莹 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体发光器件包括：一具有一级导电性的复合半导体衬底；一发光层；一具有二级导电性且不含Al的复合半导体界面层；以及一具有二级导电性且由不含Al的复合半导体制成的电流扩散层。一种制造该半导体发光器件的方法，包括步骤：在该复合半导体衬底上形成该发光层和该复合半导体界面层；在该复合半导体界面层上形成该电流扩散层，其中一生成过程暂停一预定时间，以使一重新生成界面安排在该复合半导体界面层的表面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光器件，包括：一复合半导体衬底；一发光层；一不含Al的复合半导体界面层；其中所述发光层和界面层依次在所述衬底上形成，其特征在于：所述半导体发光器件还包括一具有二级导电性并由不含Al的复合半导体制成的电流扩散层，其形成于所述界面层之上；并且其中所述衬底具有一级导电性，所述界面层具有二级导电性。
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