[发明专利]粉碎性良好的铁系硅－锰合金无效
| 申请号： | 98104056.X | 申请日： | 1998-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN1079445C | 公开（公告）日： | 2002-02-20 |
| 发明（设计）人： | 青木宏一;小埜田敦夫;鎌田政男;西村均;铃木邦辉;菊池俊二 | 申请（专利权）人： | 日铁溶接工业株式会社;日本重化学工业株式会社 |
| 主分类号： | C22C38/04 | 分类号： | C22C38/04 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 章鸣玉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了易于粉碎，且能够大量生产的铁系Si－Mn或铁系Si-Mn－Ni合金及其合金粉末。这种粉碎性良好的铁系Si－Mn或铁系Si－Mn－Ni合金及其合金粉末的特征在于；以重量%计含有C0．40—1．20%、Si5．0～12.0％、Mn19．0～42．0%、Ni30%以下，其余部分为Fe，而且Si≥11．89—2．92C－0．077Mn、维氏硬度（Hv)≥550、结构的树技状晶体面积率≤50％。此外，在上述成分组成中，Si≤8．3C＋0.14Mn、比磁导率（μ)≤1．10。 | ||
| 搜索关键词： | 粉碎性 良好 铁系硅 合金 | ||
【主权项】：
1.粉碎性良好的铁系硅-锰合金，其特征在于，以重量％计含有C：0.40～1.20％、Si：5.0～12.0％、Mn：19.0～42.0％，其余部分为Fe，而且Si≥11.89-2.92C-0.077Mn、维氏硬度(Hv)≥550、结构的树枝状晶体面积率≤50％。2.如权利要求1所述的粉碎性良好的铁系硅-锰合金，其中，还包含0.10～0.40％的P。
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