[发明专利]涡流屏蔽装置和三相变压器无效
申请号: | 98104069.1 | 申请日: | 1998-02-06 |
公开(公告)号: | CN1086502C | 公开(公告)日: | 2002-06-19 |
发明(设计)人: | 樋口佳也;小泉真 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立制作所 |
主分类号: | H01F27/36 | 分类号: | H01F27/36;H01F30/12 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王以平 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种涡流屏蔽装置,可减小由于绕组漏磁通在铁箱内壁上造成的涡流,抑制热的产生,并且提高运行效率。在包含变压器的铁箱3的内壁3a的侧面安排一个整形屏蔽件,它将在垂直方向围绕,以便包围三个绕组对1a,1b和1c,绕过磁心2的上部和下部,但并不和磁心2链接的垂直一圈屏蔽件14a,14b,和在绕组方向上,即在水平方向(在和绕组的漏磁通链接的方向)围绕的一圈屏蔽件15结合起来,将它们连接成一个屏蔽件,在它们的相交处,即一圈屏蔽件重叠的地方,电气上成为整体。 | ||
搜索关键词: | 涡流 屏蔽 装置 三相 变压器 | ||
【主权项】:
1.一种涡流屏蔽装置,包括:一个闭合电路,它由低电阻导体围绕在绕在磁心上的一对绕组的外圆周上组成,安排所述低电阻导体与所述绕组对来的磁通链接,在所述低电阻导电体中感应出感应电流,从而抑制了在除上述低电阻导体外的导电结构部件上出现涡流。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社日立制作所,未经株式会社日立制作所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/98104069.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:空心米粉
- 下一篇:一种滋补酒的制造方法