[发明专利]双向可控的可控硅

摘要

此处的双向可控的可控硅的优点是改善了在两个可控硅结构间的去耦合，特别是不可能由于载流子的不需要的迁移而不受控制地触发串联结构。这通过下面的方法实现：增加阴极区域向着隔离区域减小的度。特别是可以通过下面方法实现：短路区域的每面积单位的密度向着隔离区域趋向一个最大值。使用一个线形的、沿着隔离区域延伸的贯穿的短路区域特别有效。

主权项

1.在半导体上框架形成的双向可控的可控硅(1)，a>在该半导体框架的一侧上的第一个主平面(2)和该半导体框架的相对一侧上的第二个主平面(3)之间，第一个可控硅具有第一个阳极区域(4)、第一个n型基极(5)、第一个p型基极(6)、第一个阴极区域(7)和第一个中心的栅极区域(8)，与它反向并联的第二个可控硅结构具有第二个阳极区域(9)、第二个n型基极(10)、第二个p型基极(11)、第二个阴极区域(12)和第二个中心栅极区域(13)，其中，第一个阳极区域(4)、第二个阴极区域(2)和第二个栅极区域(13)属于第一个主平面(2)，而第二个阳极区域(9)、第一个阴极区域(7)和第一个栅极区域(8)属于第二个主平面(3)；b>在两个主平面(2、3)上，每一个隔离区域(14)位于两个可控硅结构之间，这些隔离区域(14)被设置在第一个主平面(2)的第一个阳极区域(4)和第二个阴极区域(2)之间并且位于第二个主平面(3)的第二个阳极区域(9)和第一个阴极区域(7)之间，以及c>短路区域(16)，通过第一和第二个阴极区域(7、12)短路第一个和第二个p型基极(6、11)，第一个和第二个阴极区域(7、12)分别具有覆盖阴极区域的金属化层，其特征在于，短路区域(16)的每单位面积的密度向隔离区域(14)的方向增长，并且直接相邻的隔离区(14)有一个最大值。