[发明专利]硅/锗硅垂直结型场效应晶体管

摘要

描述了一种结型场效应管及其制作方法,包括窗口中的水平半导体层以形成沟道和其中开有窗口的半导体层,它形成环绕沟道的栅电极。水平半导体层可以是在源和漏附近具有渐变组分的SiGe合金。本发明克服了形成JFET低电阻的问题,提供了很容易降到亚微米尺寸的栅长以便用于RF、微波、毫米波和逻辑电路而没有短沟道效应。

主权项

1.一种结型场效应晶体管，包括：第一类型的第一半导体层；在第一半导体层上形成的轻掺杂第一类型的第二半导体层；形成在第二半导体层上、其中开有窗口以暴露部分所述第二半导体层的第二类型的第三半导体层；形成在所述第三半导体层上、其中开有窗口以与第三半导体中的窗口相联系的介质材料层；Si1-xGex的第一类型的第四半导体层，其中x随厚度而增加，它形成在所述第三半导体层的所述窗口中；形成在所述第三半导体层的所述窗口中的、Si1-yGey的第一类型的第五半导体层，其中y基本是常数；和形成在所述介质材料层的所述窗口中的、Si1-zGez的第一类型的第六半导体层，其中z随厚度减少。