[发明专利]半导体装置及其制造方法和其测试方法无效
申请号: | 98104274.0 | 申请日: | 1998-01-19 |
公开(公告)号: | CN1114946C | 公开(公告)日: | 2003-07-16 |
发明(设计)人: | 小野敦;千川保宪;谏田诚;二江则充;刀根觉;塩田素二;猪原章夫;吉田裕一 | 申请(专利权)人: | 夏普公司 |
主分类号: | H01L23/48 | 分类号: | H01L23/48;H01L21/60 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 杨凯,叶恺东 |
地址: | 暂无信息 | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明的半导体装置包括:半导体衬底;在上述多个半导体衬底上并排的多个电极焊区和在上述多个电极焊区上分别设置的多个凸点电极,上述各电极焊区上的多个凸点电极在对上述电极焊区的并排方向为垂直的方向上配置为一列。另外,上述半导体装置由下列步骤来形成:在形成电极焊区的半导体衬底上将比应形成的凸点电极的厚度厚的成为凸点电极用掩模的光刻胶刻蚀成图形和把凸点电极形成用金属电镀到电极焊区上以形成比上述光刻胶的厚度薄的垂直壁状凸点电极。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 及其 制造 方法 测试 | ||
【主权项】:
1、一种半导体装置,其特征是包括:半导体衬底;在上述半导体衬底上并排设置的多个电极焊区;以及在上述多个电极焊区上分别设置的多个凸点电极,上述各电极焊区上的多个凸点电极在对上述电极焊区的并排设置方向为垂直的方向上被配置成一列。
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