[发明专利]外延晶片及其制造方法以及使用该外延晶片的发光器件有效
| 申请号： | 98104294.5 | 申请日： | 1998-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN1147008C | 公开（公告）日： | 2004-04-21 |
| 发明（设计）人： | 柴田幸弥;水庭清治;丰岛敏也 | 申请（专利权）人： | 日立电线株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 增加可靠性的、具有增强亮度的外延半导体晶体板或晶片和其制造方法以及发光二极管。具体安排双异质结构外延晶片使得P型包覆层2与P型GaAlAs有源层3之间界面和N型GaAlAs包覆层4与GaAlAs有源层3之间界面的氧浓度为1×1017cm-3或更小，可以增强亮度和增加制造产量的外延晶片可以被制造出来。最好液相外延生长中作为预选原材料使用的非掺杂GaAs多晶的氧含量也低于或等于1×1016cm-3或附近。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 晶片 及其 制造 方法 以及 使用 发光 器件 | ||
【主权项】：
1.双异质结构外延半导体器件包括：第一导电类型的化合物半导体衬底；在所述衬底上的多层叠层，所述叠层包括第一导电类型的第一化合物半导体包覆层，第一导电类型的化合物半导体有源层，和第二导电类型的第二化合物半导体包覆层；第一化合物半导体包覆层和有源层具有由它们之间限定的第一界面；所述有源层和第二化合物半导体包覆层之间具有第二界面；和第一和第二界面氧浓度低于或等于每立方厘米(cm-3)1×1017个原子，其中所述衬底和化合物半导体层包括从GaAs、GaP和GaInP中选择的一种。
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