[发明专利]在可传导离子的聚合物薄膜上形成金属或其氧化物层的方法无效
申请号: | 98104300.3 | 申请日: | 1998-01-21 |
公开(公告)号: | CN1121730C | 公开(公告)日: | 2003-09-17 |
发明(设计)人: | R·J·阿伦;J·R·吉阿罗穆伯朵 | 申请(专利权)人: | 德·诺拉电极股份公司 |
主分类号: | H01M4/88 | 分类号: | H01M4/88 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 龙传红 |
地址: | 暂无信息 | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种制备具有薄的金属或者金属氧化物膜的可传导离子的薄膜的方法,它包括将该可传导离子的薄膜在真空下受到低能电子束的作用,以清洁该隔膜的表面,和使清洁的隔膜在真空下受到含有要被沉积的金属离子的高能离子束的作用以形成金属膜。 | ||
搜索关键词: | 传导 离子 聚合物 薄膜 形成 金属 氧化物 方法 | ||
【主权项】:
1.一种制备具有至少一种金属、金属合金、金属氧化物或者混合金属氧化物薄膜的可传导离子的隔膜的方法,它包括将该可传导离子的隔膜在真空下受到范围在100-500eV的低能离子束的作用,以清洁该隔膜的表面,和通过使用含待沉积的含金属物质的束沉积所述薄膜,同时在真空下使所述薄膜受到范围在500-2000eV的高能离子束的作用使所述薄膜致密化。
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