[发明专利]半导体激光器的制造方法无效
| 申请号： | 98104316.X | 申请日： | 1998-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN1136636C | 公开（公告）日： | 2004-01-28 |
| 发明（设计）人： | 后藤修;山田光志;八重樫浩树;堀川英明 | 申请（专利权）人： | 冲电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01S3/18 | 分类号： | H01S3/18 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种用高精度形成用于分割半导体器件10的标记的制造半导体器件的方法，其中，多个半导体器件10制备在一个半导体衬底16上，而作为标记的刻蚀槽31形成在半导体衬底16上的半导体器件区域的外部。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光器的制造方法，包括下列步骤：在半导体衬底(16)上形成用于构成半导体激光器的叠层结构(12)，所述叠层结构(12)具有作为光发射区的有源层；在所述叠层结构(12)的上表面上形成用于刻蚀所述叠层结构(12)的刻蚀掩模(26、26’)；利用刻蚀掩模(26、26’)进行选择性腐蚀，分别在半导体衬底上位于相邻两个器件区域之间的非器件区域中形成多个不连续的刻蚀槽(31)，所述多个刻蚀槽(31)位于器件切割线上用于提供切割位置；以及在所述器件区域形成半导体激光器。
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