[发明专利]薄膜形成工艺无效
| 申请号： | 98105130.8 | 申请日： | 1998-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN1112721C | 公开（公告）日： | 2003-06-25 |
| 发明（设计）人： | 岩根正晃;米原隆夫 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/20;H01L21/762;H01L27/12;H01L31/042 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 薄膜形成工艺，包括：从由无孔层、无孔层上的多孔层和多孔层上的无孔外延硅层构成的衬底上分离外延硅层，其中，在从衬底侧面到衬底中心的方向上用激光束照射衬底侧面，使多孔层吸收激光束而导致破裂。由分离的衬底制备SOI衬底，无孔Si层再回收。节约了材料消耗并降低了制造成本。衬底能够确定地分离。本发明也提供一种能节约材料并降低成本的制造如太阳能电池等的光电转换装置的工艺，其中能够确定地分离多孔层，而不必增强衬底和夹具之间的粘接。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 形成 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜形成工艺，包括以下步骤：从由无孔层(2)、无孔层上的多孔层(3)和多孔层上的无孔外延硅层(4)构成的衬底上分离外延硅层，其特征在于：在从衬底侧面到衬底中心的方向上用激光束照射衬底侧面，使多孔层吸收激光束而导致破裂。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
