[发明专利]半导体器件的金属化

摘要

一种用于在一个基片上形成多条导线的方法，包括步骤：在基片的表面形成一个相对非平面的金属层；在该金属层的表面上沉积自平面化材料，以形成与相对非平面的金属层相比具有相对平面的表面的平面化层；在平面化层的表面沉积一个光致抗蚀层；对光致抗蚀层构图，使其形成掩模，以便选择性地暴露平面化层；在平面化层的暴露部分和平面化层暴露部分之下的非平面的金属层上蚀刻出沟槽，以形成导线，其中这些导线被沟槽隔离开。

主权项

1、一种用于在一个基片上形成多条导线的方法，包括以下步骤：在所述基片的一个表面形成一个相对非平面的金属层；在该金属层的表面上沉积一种自平面化材料，以形成一个与所述相对非平面的金属层相比具有一个相对平面的表面的平面化层，该平面化层是通过旋涂所述自平面化材料形成的，该自平面化材料选自氢化倍半氧化硅和二乙烯基硅氧烷苯并环丁烯；在所述平面化层的表面沉积一个光致抗蚀层；对该光致抗蚀层进行构图，使构图了的光致抗蚀层形成一个掩模，以便选择性地暴露所述平面化层的某些部分；在所述平面化层的暴露部分和该平面化层暴露部分之下的非平面的金属层上蚀刻出沟槽，以形成一些导线，其中这些导线被沟槽隔离开。