[发明专利]半导体器件结构及形成该结构的方法

摘要

一种形成半导体器件结构的方法，包括：在基片表面形成垂直延伸柱以提供第一结构；在其表面沉积流动性的牺牲材料，其从柱的顶表面和侧壁流出至基片表面的相邻部分以提供第二结构；在第二结构表面沉积非牺牲材料，其与第二结构的表面形貌一致，非牺牲材料覆盖牺牲材料以及柱的侧壁和顶表面；选择性地去除牺牲材料而保留非牺牲材料，以形成具有水平组件的第三结构，且水平组件由柱的一个较低的部分支承于基片表面之上某个预定的距离处。

主权项

1.一种形成半导体器件结构的方法，包括以下步骤：在一个基片的一个表面的一个部分形成一个垂直延伸柱，以提供一个第一结构；在该第一结构的一个表面沉积一个流动性的牺牲材料，这种流动性的牺牲材料从所述柱的顶表面和侧壁流出至基片表面的相邻的部分，以提供一个第二结构；在该第二结构的一个表面沉积一层非牺牲材料，所沉积的非牺牲材料与该第二结构的表面形貌一致，所沉积的这种非牺牲材料覆盖所述牺牲材料以及所述柱的侧壁部分和顶表面；选择性地去除所沉积的牺牲材料而保留非牺牲材料，以形成一个具有由所述非牺牲材料提供的一个水平组件的第三结构，且该水平组件由所述柱的一个较低的部分支承于基片表面之上某个预定的距离处。