[发明专利]电子照相光电导体及其制造方法无效
| 申请号： | 98105217.7 | 申请日： | 1998-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN1161657C | 公开（公告）日： | 2004-08-11 |
| 发明（设计）人： | 中村洋一;江后田和巳;高野正秀;喜纳秀树;大谷明 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | G03G5/06 | 分类号： | G03G5/06 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 白益华 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种电子照相光电导体，它包括导电基材和形成于所述导电基材之上的感光层，其特征在于所述感光层包括含有(1)作为光电导材料的钛氧基氧基酞菁，以及(2)是二元醇或更多元醇并且在其主链上每三个碳原子具有羟基的烷多醇的层，控制所述烷多醇的含量使得烷多醇的羟基摩尔含量以每摩尔钛氧基氧基酞菁计为0.1－100摩尔。还公开了所述电子照相光电导体的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 照相 光电 导体 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电子照相光电导体，它包括导电基材和形成于所述导电基材之上的感光层，其特征在于所述感光层包括含有(1)作为光电导材料的钛氧基氧基酞菁，以及(2)是二元醇或更多元醇并且在其主链上每三个碳原子具有羟基的烷多醇的层，控制所述烷多醇的含量使得烷多醇的羟基摩尔含量以每摩尔钛氧基氧基酞菁计为0.1-100摩尔。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士电机株式会社，未经富士电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/98105217.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：光衰减隐蔽的相位移式光掩模半成品及其制法
- 下一篇：静电复印显影材料
