[发明专利]半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 98105298.3 | 申请日： | 1998-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN1116701C | 公开（公告）日： | 2003-07-30 |
| 发明（设计）人： | 福井武司;古川秀利;上田大助 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L21/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 孙敬国 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明揭示一种半导体器件的制造方法，包括在半绝缘性半导体基片上有选择地形成电阻区域，在该电阻区域的两端部上有选择地形成欧姆电极。在电极间形成有开口部的光刻胶，使完全不横穿电阻区域。借助于一点一点不断地蚀刻除去所述开口内的电阻区域，得到所要的电阻值。本发明的半导体器件的制造方法，能事先防止电阻值变得无限大，能改善电阻值的控制性和均匀性，并能提高原材料的利用率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件制造方法，其特征在于，包括下述工序：在半绝缘性基片上有选择地形成电阻区域的工序；在所述电阻区域的两端部形成电极的工序；在所述基片表面成膜后，形成多个不横穿所述电阻区域的、所述膜的开口部时使得其中2个开口部交错跨过所述电阻区域两侧部位的工序；以及通过蚀刻所述开口部露出的所述电阻区域，对所述电阻区域的电阻值进行调整的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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