[发明专利]晶片处理装置、晶片处理方法、和半导体衬底制备方法无效
| 申请号： | 98105320.3 | 申请日： | 1998-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN1111900C | 公开（公告）日： | 2003-06-18 |
| 发明（设计）人： | 上原二三男;坂口清文;柳田一隆;原田贤一 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 超声槽(30)置于晶片处理槽(10)的下面。将超声波从超声槽(30)传送到晶片处理槽(10)的同时处理晶片(40)。在将晶片(40)完全浸入晶片处理槽(10)，通过使用晶片旋转连杆(53)同时垂直提升晶片底部来旋转和垂直移动晶片的同时来处理晶片(40)。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 处理 装置 方法 半导体 衬底 制备 | ||
【主权项】：
1.一种通过将晶片浸入处理液处理晶片的晶片处理装置，包括：其深度容许将晶片完全浸入处理液中的处理槽；晶片旋转装置，通过使用晶片旋转部件同时垂直提升由晶片固定器固定的一个或多个晶片的底部来旋转和垂直移动所述一个或多个晶片，其中晶片旋转部件绕与所述晶片旋转部件分开的轴旋转，所述轴从所述一个或多个晶片的重心下方的部分偏移；用于在所述处理槽中产生超声波的超声波产生装置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
