[发明专利]叠层复合电子器件及其制造方法无效
| 申请号： | 98105347.5 | 申请日： | 1998-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN1141724C | 公开（公告）日： | 2004-03-10 |
| 发明（设计）人： | 山口隆志 | 申请（专利权）人： | 太阳诱电株式会社 |
| 主分类号： | H01G4/40 | 分类号： | H01G4/40;H01F27/40 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 马莹 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种叠层复合电子器件，包括：一个通过堆积多层陶瓷层(1，1’和7，7’)而形成的叠层体(11)，每层陶瓷层具有互不相同的热膨胀率；和设在所述叠层体的陶瓷层之间的彼此相邻的中间陶瓷层(a、b、c和d)，其中，每个所述的中间陶瓷层的热膨胀率各不相同且按台阶式变化，以减小在所述陶瓷层之间的热膨胀率之差。 | ||
| 搜索关键词： | 复合 电子器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种叠层复合电子器件，包括：通过堆积多个第一陶瓷层而形成的第一叠层体，和通过堆积多个第二陶瓷层而形成的第二叠层体，所述第一陶瓷层的线性膨胀系数大于第二陶瓷层的线性膨胀系数；以及加到所述第一叠层体和所述第二叠层体之间的多个中间陶瓷层，其中每个所述中间陶瓷层在每个叠层体之间的热膨胀率按台阶式彼此不同。
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