[发明专利]制作双电压金属氧化物半导体晶体管的方法

摘要

一种制作双金属氧化物半导体晶体管的方法，包括下列步骤：进行一第一离子注入，以在基底中、第一多晶硅栅极与第二多晶硅栅极之外形成多个轻掺杂区；形成一光致抗蚀剂层，暴露出预定的高电压晶体管；进行一第二离子注入，以形成多个缓冲层与高电压晶体管的轻掺杂区重叠，该第二离子注入是采用大角度倾斜技术；去除光致抗蚀剂层；在形成第一间隙壁和第二间隙壁；以及进行第三离子注入，以同时形成多个重掺杂的源极与漏极区域。

主权项

1.一种制作双金属氧化物半导体晶体管的方法，其中，一预定高电压金属氧化物半导体晶体管的一第一多晶硅栅极与一预定低电压金属氧化物半导体晶体管的一第二多晶硅栅极已形成于一基底的一有源区上，该方法包括下列步骤：进行一第一离子注入，以同时在该基底中、该第一多晶硅栅极与该第二多晶硅栅极之外形成多个轻掺杂区；形成一光致抗蚀剂层，暴露出该预定的高电压金属氧化物半导体晶体管；进行一第二离子注入，以形成多个缓冲层与该高电压金属氧化物半导体晶体管的这些轻掺杂区重叠，其中该第二离子注入是采用一大角度倾斜技术；去除该光致抗蚀剂层；在该第一多晶硅栅极的侧壁形成一第一间隙壁与在该第二多晶硅栅极的侧壁形成一第二间隙壁；以及进行一第三离子注入，以同时在该第一间隙壁与该第二间隙壁之外的该基底中形成多个重掺杂的源极与漏极区域。