[发明专利]利用多晶硅半球的晶粒回蚀刻来形成电容器的方法

摘要

一种利用多晶硅半球的晶粒扩展表面面积以形成电容器电极板的方法，此多晶硅半球的晶粒形成在第一电容器电极板的顶表面与侧壁；一垂直各向异性蚀刻步骤形成一第一电容器电极板的不规则的顶表面，并且一回火步骤提供在多晶硅半球的晶粒与第一电容器电极板的侧壁之间的良好附着力；一在第一电容器电极板之间介电层的固定时间回蚀刻步骤，确保在邻接第一电容器电极板之间良好的电子绝缘。

主权项

1.一种形成电容器的方法，所述方法包括下列步骤：提供一基底；在所述基底上形成一第一介电层；在所述第一介电层上形成接触窗；在所述第一介电层之上形成一第一导电材料层，所述第一导电材料层掺杂杂质，并填满所述第一介电层上的所述接触窗；图案转移所述第一导电材料层，以形成若干个第一电容器电极板，每一个所述第一电容器电极板有侧壁及一顶表面，并且所述第一电容器电极板之间的第一介电层的空间部分是暴露着的；在每一个所述第一电容器电极板的所述侧壁及一顶表面、及第一电容器电极板之间的第一介电层的空间部分上形成一层多晶硅半球的晶粒；形成所述层多晶硅半球的晶粒之后回火所述基底；回火所述基底之后，用各向异性蚀刻所述层多晶硅半球的晶粒，蚀刻步骤移除在所述第一电容器电极板之间的多晶硅半球的晶粒部分，形成一位于所述第一电容器电极板的不规则的顶表面；用所述第一电容器电极板作为掩模，各向异性蚀刻在所述第一电容器电极板之间的第一介电层的空间部分；当各向异性蚀刻在所述第一电容器电极板之间的第一介电层的空间部分之后，清洗所述基底；在每一个所述第一电容器电极板的所述不规则的顶表面与所述侧壁上形成一第二介电层；以及在所述第一电容器电极板的所述不规则的顶表面与所述侧壁之上的所述第二介电层上形成一第二电容器电极板。