[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 98105764.0 | 申请日： | 1998-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN1118868C | 公开（公告）日： | 2003-08-20 |
| 发明（设计）人： | 前田茂伸;岩松俊明;前川繁登;一法师隆志;山口泰男;平野有一 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯,叶恺东 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 以提供解决了由场屏蔽(FS)绝缘层引起的器件的工作特性和可靠性降低的半导体器件作为第1目的，以提供防止了起因于制造过程而发生的栅氧化膜的破损的半导体器件作为第2目的，以提供防止了起因于FS电极的材料质量而发生的与栅电极的短路的半导体器件作为第3目的。通过在FS电极(5)的上表面上形成FS上部氮化膜(15)，在制造工序中，即使在局部几乎除去FS上部氧化膜(41)的情况下，也可防止FS电极(5)的上表面露出。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，该器件利用备有在半导体衬底上有选择地形成的场屏蔽绝缘膜和在所述场屏蔽绝缘膜的上部形成的场屏蔽电极的场分离结构进行元件间分离，其特征在于，所述场分离结构备有：覆盖所述场屏蔽电极的上表面而形成的耐氧化性膜；覆盖所述耐氧化性膜的上表面的第1氧化膜；以及覆盖所述第1氧化膜、所述耐氧化性膜和所述场屏蔽电极的侧面的第2氧化膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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