[发明专利]在半导体衬体上形成通孔的等离子蚀刻方法无效
| 申请号： | 98105790.X | 申请日： | 1998-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN1133202C | 公开（公告）日： | 2003-12-31 |
| 发明（设计）人： | 约肯·哈尼贝克 | 申请（专利权）人： | 西门子公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/311;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 黄小临 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种在半导体衬体上形成通孔的等离子蚀刻方法，所述方法以单个等离子蚀刻腔体对介电性二氧化硅层用等离子蚀刻通孔开口，包括随着蚀刻的继续，通过在开口侧壁淀积不断增多的聚合物，等离子蚀刻出一部分地穿过二氧化硅层的有斜度的开口，在剩下的二氧化硅层中，各向异性地等离子蚀刻出直壁的垂直开口，其中通过改变蚀刻气体中成份的相对比例来改变侧壁的倾斜度。蚀刻过程中，通过改变淀积在侧壁上的聚合物比例可以形成具有变化的侧壁斜度的通孔开口。例如，改变含氟蚀刻气体和惰性运载气体的比例，通过连续地淀积材料层，在二氧化硅层光滑地蚀刻出斜度可变的开口以确保完全地填充通孔。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 衬体上 形成 等离子 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在半导体衬体上形成通孔的等离子蚀刻方法，所述方法以单个等离子蚀刻腔体对介电性二氧化硅层用等离子蚀刻通孔开口，包括：随着蚀刻的继续，通过在开口侧壁淀积不断增多的聚合物，等离子蚀刻出一部分地穿过二氧化硅层的有斜度的开口，在剩下的二氧化硅层中，各向异性地等离子蚀刻出直壁的垂直开口，其中通过改变蚀刻气体中成份的相对比例来改变侧壁的倾斜度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
