[发明专利]铁磁性隧道结磁传感器无效
| 申请号： | 98105893.0 | 申请日： | 1998-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN1102283C | 公开（公告）日： | 2003-02-26 |
| 发明（设计）人： | 佐藤雅重;小林和雄;菊地英幸 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/39 | 分类号： | G11B5/39 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种铁磁性隧道结磁传感器，它包括一个第一铁磁性层，一个形成于前述第一铁磁性层之上的并在其中包括一层隧道氧化膜的绝缘阻挡层和一个形成于前述绝缘阻挡层之上的第二铁磁性层，其中，前述绝缘阻挡层包括一个带前述隧道氧化膜的金属层，前述隧道氧化膜由构成前述金属层的金属元素的氧化物组成，并且，该绝缘阻挡层的厚度约为1.7nm或更小，但大于组成前述隧道氧化膜的前述氧化物的一个分子层的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 铁磁性 隧道 传感器 | ||
【主权项】：
1、一种铁磁性隧道结磁传感器，它包括：一个第一铁磁性层(21A，30A)；一个形成于前述第一铁磁性层之上的绝缘阻挡层(21C，30C)，该绝缘阻挡层包括一个隧道氧化膜；一个形成于前述绝缘阻挡层之上的第二铁磁性层(21B，30B)；前述绝缘阻挡层包括一个带前述隧道氧化膜的金属层，前述隧道氧化膜由构成前述金属层的表面的金属元素的氧化物组成；其特征在于，前述绝缘阻挡层的厚度为1.7nm或更小，大于组成前述隧道氧化膜的前述氧化物的一个分子层的厚度。
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