[发明专利]扩散阻挡层的淀积方法有效
| 申请号： | 98105911.2 | 申请日： | 1998-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN1195188A | 公开（公告）日： | 1998-10-07 |
| 发明（设计）人： | 阿加伊·加因;伊利沙白·威茨曼 | 申请（专利权）人： | 摩托罗拉公司 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;C23C16/30 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 采用金属有机化学淀积可以形成难熔金属氮化物和难熔金属硅氮化物层(64)。特别地,采用乙基三(二乙基酰胺基)钽(ETDET)和氨(NH3)通过化学汽相淀积可形成氮化钽(TaN)(64)。加入硅烷(SiH4),还可以形成钽硅氮化物(TaSiN)层(64)。上述薄膜均可在硅片温度低于400摄氏度时形成,并且都有较低的含碳(C)量。因此,本发明的实施例可以用来制造氮化钽(TaN)或钽硅氮化物(TaSiN)层(64),该层具有较好的保形性和扩散阻挡性。 | ||
| 搜索关键词： | 扩散 阻挡 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，其特征在于包括以下步骤：将半导体衬底放入化学汽相淀积(CVD)反应室中；将金属有机先质引入(CVD)反应室；将半导体源引入(CVD)反应室；并且与金属有机先质反应使半导体源形成难熔金属-半导体-氮化物层(34)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
