[发明专利]半导体器件、半导体装置和它们的制造方法

摘要

课题是改善半导体器件的高频特性。解决方案是在半导体器件内部形成由p+型硅衬底10和p+型发射极埋入区域14和p+型发射极引出区域20构成的发射极导通部分。而且，把该半导体器件的p+型硅衬底10管芯键合到发射极引线框架ERF上，用该发射极导通部分，把发射极电极E和发射极引线框架ERF电连接起来。这样，由于可以废止把发射极电极E和发射极引线框架ERF连接起来的发射极键合细丝，可以消除由该发射极键合细丝所产生的电感，所以可以改善半导体装置的高频特性。

主权项

1.一种半导体器件，包括：p型半导体衬底；在上述p型半导体衬底上形成的p型第一半导体层；在上述第一半导体层上形成的n型第二半导体层，该n型第二半导体层的一部分用作集电极区域；在上述第二半导体层上形成的发射极电极，该发射极电极具有布线层；在上述第二半导体层上形成的集电极电极，该集电极电极具有布线层；在上述第二半导体层上形成的基极电极，该基极电极具有布线层；高杂质密度的n型集电极埋入区域，形成在上述第一和第二半导体层之间，用来电气地引出上述集电极区域；高杂质密度的n型集电极引出区域，形成在上述第二半导体层中，用来连接上述集电极电极和上述集电极埋入区域；p型基极区域，形成在上述第二半导体层的表面区域，以与上述基极电极连接；n型发射极区域，形成在上述基极区域的表面区域，以与上述发射极电极连接；由上述第一和第二半导体层的一部分和整个半导体衬底形成的p型发射极导通部分，其用来使上述发射极电极和上述半导体衬底电连接，该发射极导通部分与上述基极区域和上述集电极区域电绝缘，且从上面看该发射极导通部分的面积大于上述集电极区域的面积；以及由与上述发射极电极的上述布线层相同的层形成的扩大的发射极电极，该扩大的发射极电极把上述发射极电极的上述布线层直接连接到上述发射极导通部分。