[发明专利]具有改进磁探测灵敏度的巨磁电阻磁传感器无效
申请号: | 98106085.4 | 申请日: | 1998-03-09 |
公开(公告)号: | CN1140896C | 公开(公告)日: | 2004-03-03 |
发明(设计)人: | 饭岛诚 | 申请(专利权)人: | 富士通株式会社 |
主分类号: | G11B5/39 | 分类号: | G11B5/39 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 蒋世迅 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一个GMR磁传感器,包括一个下电极;一个第一非磁金属层,其形成在下电极上并包括铁磁区;一个第二非磁金属层,在第一非磁金属层上;一个第三非磁金属层,其在第二非磁金属层上,并包括铁磁区;以及一个上电极,其在第三非磁金属层上形成,其中在第一个非磁金属层和第三个非磁金属层之间,进一步放置了一个隧道绝缘薄膜。 | ||
搜索关键词: | 具有 改进 探测 灵敏度 磁电 传感器 | ||
【主权项】:
1.一种巨磁电阻磁传感器,包括:一个第一电极;一个第一导电非磁层,在所述第一电极上提供;多个形成在所述第一导电非磁层中的第一铁磁区,其相互隔离;一个第二导电非磁层,在所述第一导电非磁层上提供;一个第三导电非磁层,在所述第二导电非磁层上提供;多个形成在所述第三导电非磁层中的第二铁磁区,其相互隔离;一个第二电极,在所述第三导电非磁层上提供;所述第一导电非磁层和第三导电非磁层相互隔离一段距离,这样引起在第一铁磁区和第二铁磁区的交互作用;以及一个隧道绝缘薄膜,放置在所述第一导电非磁层和第三导电非磁层之间。
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