[发明专利]半导体发光元件及其制造方法有效
| 申请号： | 98106264.4 | 申请日： | 1998-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN1151562C | 公开（公告）日： | 2004-05-26 |
| 发明（设计）人： | 细羽弘之 | 申请（专利权）人： | 夏普公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 马莹 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体发光元件及其制造方法。该半导体发光元件包括：衬底；半导体多层结构，该结构至少包括第一导电类型的第一包层，有源层和第二导电类型的第二包层，它们按此顺序在衬底上形成；和电流扩散层，该层由包括在半导体多层结构上形成的第二导电类型的Ga1-xInxP(0＜x＜1)的材料制成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光元件包括：衬底；半导体多层结构，该结构至少包括第一导电类型的第一包层，有源层和第二导电类型的第二包层，它们按此顺序在衬底上形成；和电流扩散层，该层由包括在半导体多层结构上形成的第二导电类型的Ga1-xInxP的材料制成，其中0＜x＜1。
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