[发明专利]形成集成电路电容器的方法及由此形成的电容器

摘要

形成集成电路电容器的方法包括下列步骤：通过在半导体衬底上形成导电层图案(例如，硅层)、然后在其上形成有第一导电类型掺杂剂的半球型颗粒(HSG)硅表面层、来形成电容器的下电极。在下电极上还形成扩散阻挡层(例如，氮化硅)，然后在所述扩散阻挡层上形成介电层。扩散阻挡层最好用具有足够厚度的材料制成，以防止介电层和下电极之间的反应，也防止掺杂剂从HSG硅表面层向外扩散到介电层。介电层最好由具有高介电强度的材料形成，以增大电容量。

主权项

1.一种形成集成电路电容器的方法，包括下列步骤：在半导体衬底上形成导电层图案；在所述导电层图案上形成其中具有第一导电类型掺杂剂的半球型颗粒硅表面层；在所述半球形颗粒硅表面层上形成扩散阻挡层；在所述扩散阻挡层上按以下方式形成包含氧化钽的介电层：在所述扩散阻挡层上形成第一氧化钽层；将所述第一氧化钽层在臭氧环境中暴露于紫外线中使该第一氧化钽层致密化；将所述第一氧化钽层暴露于氧气中而在第一氧化钽层上形成第二氧化钽层；和将所述第二氧化钽层暴露于氧气中使该第二氧化钽层致密化；以及在所述介电层上形成电极，与所述半球形颗粒硅表面层相对。